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繼推出國內(nèi)首款NVMe存儲Mach后 宏杉將NVMe全閃從產(chǎn)品到解決方案系列化

云計算
2018年初,宏杉科技憑借多年的自主研發(fā)能力,把握技術(shù)最新趨勢,推出了國內(nèi)首款NVMe全閃存產(chǎn)品MS7000G2-Mach。

2018年初,宏杉科技憑借多年的自主研發(fā)能力,把握技術(shù)最新趨勢,推出了國內(nèi)首款NVMe全閃存產(chǎn)品MS7000G2-Mach。而今天,宏杉科技將NVMe全閃存陣列系列化,除了高端NVMe全閃存陣列MS7000G2-Mach,還有更注重性價比、面向企業(yè)級數(shù)據(jù)中心的MS5500G2-Mach、NVMe擴(kuò)展柜DSU5625以及NVMeover Fabrics端到端解決方案。

  自此,宏杉科技成為國內(nèi)首家將NVMe全閃存產(chǎn)品系列化的存儲企業(yè),憑借技術(shù)積累和優(yōu)勢,把握了未來全閃存的發(fā)展方向,占據(jù)了全閃存技術(shù)的制高點。

  NVMe全閃存系列化

  面向大規(guī)模在線交易、事務(wù)處理及分析的MS7000G2-Mach

  宏杉2018年發(fā)布第一款NVMe全閃存陣列MS7000G2-Mach,存儲控制器采用CPU直連PCIe SSD性能最優(yōu)化的設(shè)計,支持32Gb FC、100GE NVMe over Fabrics等多種方式與前端主機(jī)連接,保證存儲訪問的低延時、高性能。一經(jīng)推出,即在金融、石油石化等行業(yè)的在線交易處理、在線分析處理,以及高性能計算和大數(shù)據(jù)分析等對數(shù)據(jù)訪問延時、高并發(fā)IO有極苛刻要求的場景中得到應(yīng)用。

  圖1:MS7000G2-Mach

  面向企業(yè)級數(shù)據(jù)中心高性價比的MS5500G2-Mach

  為了給用戶提供性能、容量和價格上的更多選擇,宏杉推出了面向企業(yè)級數(shù)據(jù)中心的NVMe全閃存陣列MS5500G2-Mach,雙控后端數(shù)據(jù)交換總帶寬達(dá)到800Gb/s。MS5500G2-Mach配置大容量緩存,支持32Gb FC、100GE NVMeover Fabrics前端主機(jī)連接。以IOPS的高性價比,適用企業(yè)級數(shù)據(jù)中心的高并發(fā)量、高吞吐量業(yè)務(wù)。

  圖2:MS5500G2-Mach

  NVMe擴(kuò)展柜DSU5625

  宏杉科技的NVMe擴(kuò)展柜DSU5625,配置4個x8 PCIe 3.0接口,通過光纖連接存儲控制器,2U高度可以擴(kuò)展25塊NVMe SSD,為宏杉全閃存提供NVMe SSD擴(kuò)展能力。

  圖3:DSU5625 NVMe擴(kuò)展柜

  業(yè)界最低延時的NVMe端到端解決方案

  宏杉科技Mach系列NVMe全閃存陣列,隨機(jī)讀寫IOPS達(dá)數(shù)百萬,訪問延時最低60us。如果采用傳統(tǒng)SAN連接方式,網(wǎng)絡(luò)訪問延時抵消了NVMe全閃存的性能優(yōu)勢。目前專業(yè)存儲廠商通過采用NVMe over Fabrics協(xié)議,實現(xiàn)端到端NVMe解決方案,保證最低20us的網(wǎng)絡(luò)低延時。

  宏杉科技在對比分析了NVMe over Fabrics多種傳輸層協(xié)議之后,選擇了業(yè)界延時最低的RoCE V2協(xié)議用來構(gòu)建高效的端到端NVMe網(wǎng)絡(luò)存儲方案。該方案目前支持100GE、25GE高速以太網(wǎng),適用的存儲陣列包括Mach全系列閃存陣列,以及MS7000G2、MS5580G2高端全閃存陣列和混合陣列。

  圖4:宏杉NVMe over Fabrics端到端解決方案

  NVMe全閃存性能優(yōu)勢明顯

  1、低延時

  影響硬盤數(shù)據(jù)訪問延時的三個因素,分別是存儲介質(zhì)、硬盤控制器和軟件接口標(biāo)準(zhǔn)。

  存儲介質(zhì)方面,閃存Flash與傳統(tǒng)機(jī)械硬盤的差別巨大,既使最新的雙磁臂硬盤也甘拜下風(fēng)。

  硬盤控制器方面,PCIe SSD的主控與CPU直接連接,延時大幅下降。

  軟件接口層面,NVMe縮短了CPU到SSD的指令路徑,使用中斷管理減少寄存器的訪問次數(shù);多線程優(yōu)化,減少CPU多核之間的鎖同步操作,提高存儲處理的并行度。

  通過這些革新技術(shù),基于PCIe和NVMe技術(shù)的SSD比SAS SSD的訪問延時減少了20us,未來NVMe的目標(biāo)是延時低于10us。

  2、高性能(IOPS、Throughput)

  一般來說,IOPS=隊列深度/IO延時,隨著隊列深度增加,IO的延時也會提高。高端企業(yè)級SAS SSD的隊列深度通常是256,以發(fā)揮SAS SSD的最高性能,但這對最大支持64k隊列深度的NVMe來說遠(yuǎn)不解渴。

  要想充分發(fā)揮SSD的魔力性能,存儲控制器的CPU性能也必須強(qiáng)大:不僅是多核,還要求單核有足夠的多線程處理性能。與SAS SSD支持一個隊列相比,NVMe SSD已經(jīng)支持多個隊列,每個CPU核中的每個線程可獨享一個隊列。

  宏杉科技洞悉全閃存技術(shù)的發(fā)展趨勢,在國內(nèi)領(lǐng)先發(fā)布了NVMe全閃存陣列,以高性能、低延時和完善的可靠性設(shè)計在金融、石油、政府、教育、醫(yī)療等行業(yè)實現(xiàn)了不同場景的應(yīng)用部署。目前,宏杉科技已實現(xiàn)NVMe全閃存產(chǎn)品的系列化,并完善了端到端的NVMe over Fabrics解決方案。未來,宏杉科技Mach系列產(chǎn)品必將繼續(xù)引領(lǐng)NVMe全閃存陣列發(fā)展。

責(zé)任編輯:Captain 來源: 佚名
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